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| 场效应管开关特性 |
绝缘栅场效应管即MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor）。MOS管可分为N沟道和P沟道两类，简称NMOS管和PMOS管。
NMOS电路的特点是工作速度快、集成度高，直流电源电压较低，从工艺上讲，NMOS比较适用于制造大规模数字集成电路，如存储器和微处理器等，但不宜制成通用的逻辑门电路。原因是NMOS电路带电容负载的能力弱。CMOS电路是互补对称MOS电路的简称。其电路结构都采用增强型PMOS管和增强型NMOS管按互补对称形式连接而成。本节以N沟道增强型MOS管为例，分析其开关特性。至于CMOS的电压传输特性将在本章第五节中介绍。
MOS管的开关特性
当MOS管截止时，漏极和源级之间的内阻Roff非常大，在截止状态下的等效电路可用断开的开关代替。MOS管在导通状态下的内阻Ron约在1KW以内，而且与的数值有关。当Vi=ViL时，VGS<IiL<VT，MOS管处于截止状态，ID=0 , 输出Vo=Voh=Vdd ，相当于开关断开状态。当 时Vi=Vih，Vgs=Vih>VT，MOS管处于导通状态，合理选择VDD 和Rd ，使Id 足够大，输出 Vo=VoL=Vdd-IdRd，为得到足够低的Vol ，要求Rd 很大，在实际电路中，常用另一个MOS管来做负载。相当于开关接通状态。 |
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